Die FEI Helios G4 Dual Beam ist Teil der vierten Generation der führenden Helios Dual Beam Familie. Es kombiniert die innovative Elstar-Elektronensäule mit der Hochstrom-UC+ Technologie für extrem hochauflösende Bildgebung und den höchsten Materialkontrast mit der überlegenen Tomahawk-Ionensäule für die schnellste, einfachste und präziseste Probenvorbereitung in hoher Qualität. Neben der fortschrittlichsten Elektronen- und Ionenoptik verfügt die Helios G4 UC über eine Reihe modernster Technologien, die eine einfache und konsistente hochauflösende S/TEM- und Atom Probe Tomography (APT)-Probenvorbereitung ermöglichen sowie eine qualitative höchst-hochwertige Charakterisierung unterhalb der Oberfläche und 3D-Charakterisierung, selbst bei den schwierigsten Proben.

Die neuesten technologischen Innovationen der Helios G4 ermöglichen, in Verbindung mit der einfach zu bedienenden, umfangreichen Software und der FEI-Anwendungsexpertise, die schnelle und einfache Präparation von HR-S/TEM-Proben für eine Vielzahl von Materialien. Um Ergebnisse von höchster Qualität zu erzielen, ist ein abschließendes Polieren mit Niedrigenergie-Ionen erforderlich, um Oberflächenbeschädigungen an der Probe zu minimieren. Die FEI Tomahawk Focused Ion Beam (FIB) -Säule liefert nicht nur hochauflösende Bildgebung und ermöglicht Fräsen bei hohen Spannungen, sondern hat auch eine hervorragende Niederspannungsleistung, welche die Schaffung von hochwertigen TEM-Lamellen ermöglicht.